Layanan journal yang disediakan oleh Perpustakaan Universitas Gunadarma
| Judul Artikel | : | SIMULASI MODEL: HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR SILIKON-GERMANIUM (HBT SiGe) BERDASARKAN PENGATURAN LEBAR STRIPE EMITER (WE) |
|---|---|---|
| Judul Terbitan | : | Jurnal Penelitian dan Pengembangan Telekomunikasi |
| ISSN | : | 1410-7066 |
| Bahasa | : | IND |
| Tempat Terbit | : | Bandung |
| Tahun | : | 0000 |
| Volume | : | Vol. 14 Issue 1 0000 |
| Penerbit | : | STT TELKOM |
| Frekuensi Penerbitan | : | 2x per Tahun |
| Penulis | : | Tossin Alamsyah", Djoko Hartanto'', NR Poespawatr' |
| Abstraksi | : | Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors (SiGe HBTs) adalah devais elektronika yang menjadi tulang punggung perkembangan Teknologi Informasi dan Telekomunikasi. SiGe HBTs memiliki parameter superior dalam unjuk kerja; frekuensi treshold (fT), frekuensi osilasi (fose), current gain (P) serta noise figure minimum (F n). Model HBT SiGe yang dipergunakan pada riset ini mengacu pada model rancangan HBT SiGe IBM generasi kedua dengan parameter; panjang diffusi emiter 10 Jim, konsentrasi doping pada basis 5,10'9 em", emiter 2,10'4cm-\ kolektor 5,1O,scm-3 dan mole fraction (x) germanium pada SiGe di sisi basis 5%, serta lebar stripe emiter (we) 0,18 Jim. Saat arus kolektor (Ie) ditentukan 10 mA dengan lebar stripe emiter (we) diperkecil dari 0,18 Jim menjadi 0,12 Jim dan 0,09 Jim maka fT naik dari 48 Ghz menjadi 52,4 Ghz dan 56 Ghz, kemudian fosc. naik dari 101 Ghz menjadi 123 Ghz dan 134 Ghz. Sebaliknya untuk p turun dari 140 menjadi 130 dan 120, dengan Fn bernilai 0.4 dB untuk semua We. Fn akan naik dan berbanding terbalik dengan We ketika Ie 100 mA. Dengan demikian lebar stripe emiter (we) mempunyai relasi terhadap RB,P,Re,fT,fosc dan F; sebagai berikut; We ~ K"RnfJ / RcxfrxloscxFn , saat Ie konstan. |
| Kata Kunci | : | HBT SiGe; emiter stripe Lebar (WJ; ambang frekuensi (FT); frekuensi osilasi (fosc); saat ini Keuntungan (P); noise figure minimum (Fn) |
| Lokasi | : | P40 |
| Terakreditasi | : | belum |