Layanan journal yang disediakan oleh Perpustakaan Universitas Gunadarma
| Judul Artikel | : | Studi Awal MEMS pada Mikrofabrikasi Divais Transistor Bipolar NPN |
|---|---|---|
| Judul Terbitan | : | ELITE ELEKTRO Jurnal Ilmiah Teknik Elektro |
| ISSN | : | 2087362X |
| Bahasa | : | IND |
| Tempat Terbit | : | Depok |
| Tahun | : | 0000 |
| Volume | : | Vol. 2 Issue 2 0000 |
| Penerbit | : | Jurusan Teknologi Elektro Politeknik Negeri Jakarta |
| Frekuensi Penerbitan | : | 2 x 1 Tahun |
| Penulis | : | Aminuddin Debataraja, Latif Mawardi, dan Robeth V. Manurung |
| Abstraksi | : | Transistor merupakan divais yang selama ini telah banyak digunakan serta memiliki peran yang cukup penting di dalam dunia elektronika khususnya dalam bidang rangkaian terintegrasi (IC). Transistor bipolar merupakan devais elektronik yang terdiri atas tiga terminal, emitor, kolektor, dan basis, yang membentuk dua buah p-n junction. Prinsip dasar kerja transistor bipolar adalah arus yang mengalir pada basis akan mengendalikan arus pada kolektor dan emitter. Keunggulan utama dari transistor dengan teknologi bipolar adalah kecepatan switching-nya yang lebih tinggi dibandingkan dengan teknologi MOS serta kemampuannya untuk dapat mengalirkan arus yang tinggi. Dalam tulisan ini dijelaskan proses desain dan simulasi proses fabrikasi transistor bipolar tipe NPN dengan ~ = 100, XE = 0,4 urn, XB = 0,6 urn |
| Kata Kunci | : | base; emitter; kolektor; p-n junction; transistor bipolar |
| Lokasi | : | P88 |
| Terakreditasi | : | belum |